募捐 9月15日2024 – 10月1日2024
关于筹款
书籍搜索
书
募捐:
68.6% 达到
登录
登录
访问更多功能
个人推荐
Telegram自动程序
下载历史
发送到电子邮件或 Kindle
管理书单
保存到收藏夹
个人的
书籍请求
探索
Z-Recommend
书单
最受欢迎
种类
贡献
捐款
上载
Litera Library
捐赠纸质书籍
添加纸质书籍
Search paper books
我的 LITERA Point
搜索关键词
Main
搜索关键词
search
1
Grundlagen der Verstärker
Vieweg+Teubner Verlag
Horst Gad
,
Hans Fricke
bild
spannung
verstärker
ersatzschaltung
widerstand
feldeffekttransistor
gate
ausgangsspannung
abschn
gilt
folgt
schaltung
operationsverstärkers
eingang
operationsverstärker
verstärkers
beispiel
läßt
drain
arbeitspunkt
ergibt
strom
ausgang
emitter
betrieb
eingangsspannung
komplexen
bipolartransistor
spannungsverstärkung
diode
komplexe
steilheit
ugs
frequenzen
grenzfrequenz
feldeffekttransistors
oszillator
kanal
beträgt
kleinsignal
verstärkung
dargestellt
frequenz
kollektor
genannt
übertragungskennlinie
leistung
leerlaufspannungsverstärkung
bereich
temperatur
年:
1983
语言:
german
文件:
PDF, 6.41 MB
您的标签:
0
/
0
german, 1983
2
Zur analogen Großsignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berücksichtigung des Subthreshold-Gebietes
VS Verlag für Sozialwissenschaften
Prof. Dr. -Ing. Horst Gad (auth.)
parameter
uds
bild
funktion
drainstromes
kennlinien
drain
modell
spannung
gds
modells
steilheit
messung
rechnung
pnfet
const
harmonischen
kanal
rna
kanalleitwert
mosfet
dso
feldeffekttransistors
gate
abschn
bfr
punkt
udso
ableitung
tabelle
dargestellt
id3
sourceschaltung
feldeffekttransistoren
bud
harmonische
berechnung
gemessenen
gleichspannung
temperatur
drainstrom
ableitungen
analogen
bestimmung
kanalleitwertes
parametersatz
ubereinstimmung
entsprechend
konstante
bzw
年:
1981
语言:
german
文件:
PDF, 1.78 MB
您的标签:
0
/
0
german, 1981
3
Microsoft Word - UEBUNG8.DOC
wanner
berechnen
reflexionsfaktor
sourcekontakt
streumatrix
transistor
transistors
allgemein
anhand
beschalten
drain
gate
j1.2
massepotential
s22
s3tor
sourceschaltung
sowie
zweitores
γ1
γs
15ma
3nh
50ω
abgeschlossen
abhängig
arbeitspunkt
berechnete
betrachtet
bezugsimpedanz
bezugsknoten
bezüglich
biaszuführungen
daraus
dielektrizitätskonstanten
dimensionieren
dimensionierung
dreitor
eingangsimpedanz
eingesetzt
entworfen
entwurfsverfahrens
erfolgt
erfüllen
frequenz
gateanschluss
geeignete
gegeben
ghz
groß
hochfrequenzschaltungen
语言:
german
文件:
PDF, 98 KB
您的标签:
0
/
0
german
1
按照
此链接
或在 Telegram 上找到“@BotFather”机器人
2
发送 /newbot 命令
3
为您的聊天机器人指定一个名称
4
为机器人选择一个用户名
5
从 BotFather 复制完整的最后一条消息并将其粘贴到此处
×
×