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Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
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A comprehensive and "state-of-the-art" coverage of the design and fabrication of IGBT.
* All-in-one resource
* Explains the fundamentals of MOS and bipolar physics.
* Covers IGBT operation, device and process design, power modules, and new IGBT structures.
种类:
年:
2003
出版:
1st
出版社:
IEEE Press
语言:
english
ISBN 10:
0471238457
ISBN 13:
9780471238454
文件:
PDF, 30.83 MB
您的标签:
IPFS:
CID , CID Blake2b
english, 2003
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